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光刻機用于:集成電路,半導體,光電子器件等的研制和生產(chǎn)。更多型號請咨詢國產(chǎn)光刻機,evg光刻機,浸入式光刻機。
光刻機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統(tǒng),光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。Photolithography(光刻) 意思是用光來制作一個圖形(工藝);在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。
在EUV光刻技術方面的滯后性,我國不得不從外國進口價格高昂的成品。
據(jù)統(tǒng)計,我國連續(xù)多年從西方進口芯片已經(jīng)超過1萬億人民幣,且這個趨勢還在不斷上漲,比如去年一整年就超過了1萬五千億,可以說集成電路已經(jīng)成為我國國庫公帑流失以及國防經(jīng)濟安全的巨大破洞。
實驗生產(chǎn)芯片
所以,此次長春光機所在EUV光刻技術方面取得重大突破,其意義已經(jīng)不亞于電磁彈射,甚至堪比峨眉發(fā)動機。
專家指出,相信進入十四五計劃后,中國的發(fā)展將不可阻擋,隨著國家對芯片領域大幅度投資和持續(xù)投入,相信中國的光刻機發(fā)展也將最終突破桎梏,其發(fā)展也將光明萬丈,前程似錦!半導體芯片,是信息化時代的基石,也是當今尖端制造的制高點。全球芯片制造,已經(jīng)進入10納米到7納米器件的量產(chǎn)時代。中國自主研發(fā)的第一臺7納米刻蝕機,是芯片制造和微觀加工最核心的設備之一。它采用等離子體刻蝕技術——利用有化學活性的等離子體,在硅片上雕刻出微觀電路。7納米,相當于發(fā)絲直徑的萬分之一。這是目前人類能夠在大生產(chǎn)線上制造出的最小的集成電路布線間距,接近微觀加工的極限!而此前,中國內(nèi)地的芯片制造,僅停留在28納米的量產(chǎn)水平。如今,中國芯片制造裝備,終于與世界最先進水平同步!
網(wǎng)友@ 靚仔集團董事長表示:“全球就只有他家能生產(chǎn)的出來,沒有人做的出來。而且還不賣給中國。中國出多少錢都不賣。毛利1000%都可以。這個是在芯片里面畫電路的,都是幾納米,大概是頭發(fā)絲的萬分之一大小電路,你說牛B不。”
那么,到底什么設備這么牛?
答案:光刻機
光刻機是芯片制造的核心設備之一,是制造大規(guī)模集成電路的核心裝備,芯片生產(chǎn)廠商要想成功地制造出芯片來,就一定要用到光刻機。
高端光刻機則可以說是全球最為精密的儀器,并有號稱“現(xiàn)代光學工業(yè)之花”。目前,全球僅有極少數(shù)的光刻機設備廠商能夠研制出高端光刻機,其核心技術長期被荷蘭、日本、德國等把持。
ASML一家獨大,英特爾、臺積電都得看它臉色!
過去,日本的佳能和尼康也研制光刻機。為防止過度依賴ASML,英特爾曾有意扶持佳能和尼康,無賴兩家日企不爭氣,在全球光刻機市場中的份額逐漸被ASML蠶食,佳能現(xiàn)在基本已放棄了光刻機業(yè)務,尼康也處于茍延殘喘中。
目前,光刻機領域的龍頭老大是荷蘭ASML,已占據(jù)了全球80%的市場份額,基本壟斷了高端光刻機(EUV光刻機)市場,且全球僅僅ASML能夠生產(chǎn)。
尤其在14及16 奈米制程階段,包括英特爾、三星、臺積電等各家代工廠的極紫外線光刻機都來自ASML。
為英特爾承運ASML光刻機的空橋744F
2016年,ASML獨家銷售了139臺光刻機,極紫外光刻機賣出了四臺,單臺平均售價達1.1億美元。
高度難產(chǎn),一年只產(chǎn)12臺
由于生產(chǎn)EUV光刻機需要超高成本及高精尖技術,ASML年產(chǎn)量只有12臺,相當于每個月只能生產(chǎn)出一臺。即便如此,ASML在2018之前的產(chǎn)能也早已被訂光光。為了讓產(chǎn)能跟上需求,ASML目前正在快馬加鞭提升生產(chǎn)效率,預計到2018年可增加到24臺,2019年達到40臺產(chǎn)能。
截止到2017年第二季度,ASML已拿到8臺最新光刻機訂單,未交付的訂單累計27臺,其中有5臺由臺積電預訂,費款高達5.5億美元,幾乎可以購買兩架全球最大的四發(fā)雙層客機空客A380
為什么不賣給中國?
作為集成電路制造過程中最核心的設備,光刻機至關重要,芯片廠商想要提升工藝制程,沒有它萬萬不行,中國半導體工藝為啥提升不上去,光刻機被禁售是一個主要因素。
這么昂貴的設備,為什么不賣給中國呢?這就要提到《瓦森納協(xié)定》。光刻機被業(yè)界譽為集成電路產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠,研發(fā)的技術門檻和資金門檻非常高。也正是因此,能生產(chǎn)高端光刻機的廠商非常少,到最先進的14nm光刻機就只剩下ASML,日本佳能和尼康已經(jīng)基本放棄第六代EUV光刻機的研發(fā)。
相比之下,國內(nèi)光刻機廠商則顯得非常寒酸,處于技術領先的上海微電子裝備有限公司已量產(chǎn)的光刻機中性能最好的是90nm光刻機,制程上的差距就很大……國內(nèi)晶圓廠所需的高端光刻機完全依賴進口。
這不僅使國內(nèi)晶圓廠要耗費巨資購買設備,對產(chǎn)業(yè)發(fā)展和自主技術的成長也帶來很大不利影響--ASML在向國內(nèi)晶圓廠出售光刻機時有保留條款,那就是禁止用ASML出售給國內(nèi)的光刻機給國內(nèi)自主CPU做代工--只要中芯國際、華力微等晶圓廠采購的ASML光刻機,雖然不影響給ARM芯片做代工,但卻不可能給龍芯、申威等自主CPU做代工、商業(yè)化量產(chǎn)。即便是用于科研和國 防領域的小批量生產(chǎn),也存在一定風險--采用陶瓷加固封裝、專供軍用的龍芯3A1500和在黨政軍市場使用的龍芯3A2000,只能是小批量生產(chǎn),而且在宣傳上 也只能含糊其辭的說明是境內(nèi)流片……這很大程度上影響了自主技術和中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
中國的光刻機發(fā)展水平如何
2016年,清華大學召開了“光刻機雙工件臺系統(tǒng)樣機研發(fā)”項目驗收會,專家組對項目任務完成情況予以高度評價,并一致同意該項目通過驗收。
工件臺系統(tǒng)是光刻機的重要子系統(tǒng),工件臺系統(tǒng)的運行速度、加速度、系統(tǒng)穩(wěn)定性和系統(tǒng)的定位建立時間對光刻機的生產(chǎn)精度和效率起著至關重要的作用。本次“光刻機雙工件臺系統(tǒng)樣機研發(fā)”項目驗收,標志中國在雙工件臺系統(tǒng)上取得技術突破,但這僅僅是實現(xiàn)光刻機國產(chǎn)化萬里長征的一部分,距離打破ASML的技術壟斷還有很長的路要走。
日前,“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項實施管理辦公室組織專家,在中國科學院長春光學精密機械與物理研究所召開了“極紫外光刻關鍵技術研究”項目驗收會。評審專家組充分肯定了項目取得的一系列成果,一致同意項目通過驗收,認為該項目的順利實施將我國極紫外光刻技術研發(fā)向前推進了重要一步。
極紫外光刻光學技術代表了當前應用光學發(fā)展最高水平,作為前瞻性EUV光刻關鍵技術研究,項目指標要求高,技術難度大、瓶頸多,創(chuàng)新性高,同時國外技術封瑣嚴重
因此我們看到,中國也是取得了很大的進步的。但是中國想要趕上,絕不是一朝一夕的事,需要各類基礎領域扎實的人才,這也是最難的。
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